YJS2022A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJS2022A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для YJS2022A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS2022A даташит

 ..1. Size:1229K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs2022a.pdf pdf_icon

YJS2022A

RoHS COMPLIANT YJS2022A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -13A D R ( at V = -4.5V) 17mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 20mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 26mohm DS(ON) GS General Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed

Другие IGBT... YJQ40P03A, YJQ4666B, YJQ55P02A, YJQ62G06A, YJQD30P02A, YJS03N10A, YJS10N04A, YJS12G06D, IRFZ44N, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, YJS4409A, YJS4606A, YJS8205A, CSD15380F3, CSD17581Q5A