Справочник MOSFET. YJS2022A

 

YJS2022A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJS2022A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для YJS2022A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS2022A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1229K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs2022a.pdf pdf_icon

YJS2022A

RoHS COMPLIANT YJS2022A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -13A D R ( at V = -4.5V) 17mohm DS(ON) GS R ( at V = -2.5V) 20mohm DS(ON) GS R ( at V = -1.8V) 26mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Speed

Другие MOSFET... YJQ40P03A , YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , IRFZ44N , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , YJS8205A , CSD15380F3 , CSD17581Q5A .

History: HFP50N06

 

 
Back to Top

 


 
.