YJS2301A Todos los transistores

 

YJS2301A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJS2301A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 89 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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YJS2301A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs2301a.pdf pdf_icon

YJS2301A

RoHS COMPLIANT YJS2301A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.7A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

 8.1. Size:1651K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs2308a.pdf pdf_icon

YJS2301A

RoHS COMPLIANT YJS2308A N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 20V DS I 5.6A D R ( at VGS=4.5V) 25mohm DS(ON) R ( at VGS=2.5V) 32mohm DS(ON) R ( at VGS=1.8V) 49mohm DS(ON)PMOS V -20V DS I -3.7A D R ( at VGS=-4.5V) 64mohm DS(ON) R ( at VGS=-2.5V) 80mohm DS(ON) R (

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History: SSFT3904 | SSFT3906

 

 
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