YJS2301A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJS2301A
   Código: .S1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 54 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 89 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJS2301A

YJS2301A Datasheet (PDF)

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yjs2301a.pdf

RoHS COMPLIANT YJS2301A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.7A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

8.1. Size:1651K cn yangzhou yangjie elec
yjs2308a.pdf

RoHS COMPLIANT YJS2308A N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 20V DS I 5.6A D R ( at VGS=4.5V) 25mohm DS(ON) R ( at VGS=2.5V) 32mohm DS(ON) R ( at VGS=1.8V) 49mohm DS(ON)PMOS V -20V DS I -3.7A D R ( at VGS=-4.5V) 64mohm DS(ON) R ( at VGS=-2.5V) 80mohm DS(ON) R (

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Liste

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