Справочник MOSFET. YJS2301A

 

YJS2301A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJS2301A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 89 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для YJS2301A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS2301A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs2301a.pdf pdf_icon

YJS2301A

RoHS COMPLIANT YJS2301A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -3.7A D R ( at V =-4.5V) 64 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 80 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 110 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology Low R DS(ON) Low Gate Charge Applications Vi

 8.1. Size:1651K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs2308a.pdf pdf_icon

YJS2301A

RoHS COMPLIANT YJS2308A N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 20V DS I 5.6A D R ( at VGS=4.5V) 25mohm DS(ON) R ( at VGS=2.5V) 32mohm DS(ON) R ( at VGS=1.8V) 49mohm DS(ON)PMOS V -20V DS I -3.7A D R ( at VGS=-4.5V) 64mohm DS(ON) R ( at VGS=-2.5V) 80mohm DS(ON) R (

Другие MOSFET... YJQ4666B , YJQ55P02A , YJQ62G06A , YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , IRF3205 , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , YJS8205A , CSD15380F3 , CSD17581Q5A , CSD17585F5 .

 

 
Back to Top

 


 
.