YJS4409A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJS4409A
   Código: Q4409
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 77.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 21 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 674 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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YJS4409A Datasheet (PDF)

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yjs4409a.pdf

RoHS COMPLIANT YJS4409A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -18A D R ( at V =-20V) 5.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 10mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed swit

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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