YJS4409A Todos los transistores

 

YJS4409A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJS4409A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 674 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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YJS4409A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1159K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs4409a.pdf pdf_icon

YJS4409A

RoHS COMPLIANT YJS4409A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -18A D R ( at V =-20V) 5.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 10mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed swit

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History: CM10N65F | KHB9D0N50F2 | SI4909DY | IRFS3207ZPBF | NCE0202ZA | SIR826DP | IRF7704G

 

 
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