YJS4409A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJS4409A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 674 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: SOP8

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YJS4409A datasheet

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YJS4409A

RoHS COMPLIANT YJS4409A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -18A D R ( at V =-20V) 5.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 10mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed swit

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