Справочник MOSFET. YJS4409A

 

YJS4409A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJS4409A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 674 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS4409A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1159K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs4409a.pdf pdf_icon

YJS4409A

RoHS COMPLIANT YJS4409A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -18A D R ( at V =-20V) 5.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 10mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed swit

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IPP039N10N5 | ZXMN6A09GTA | NDT6N70 | LSB65R041GF | APT6013B2FLLG | IPD50R280CE | KP771A

 

 
Back to Top

 


 
.