YJS4409A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJS4409A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 674 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для YJS4409A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS4409A даташит

 ..1. Size:1159K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs4409a.pdf pdf_icon

YJS4409A

RoHS COMPLIANT YJS4409A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -18A D R ( at V =-20V) 5.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 10mohm DS(ON) GS General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed swit

Другие IGBT... YJQD30P02A, YJS03N10A, YJS10N04A, YJS12G06D, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, 20N60, YJS4606A, YJS8205A, CSD15380F3, CSD17581Q5A, CSD17585F5, CSD18543Q3A, CSD19538Q3A, CSD23280F3