Справочник MOSFET. YJS4409A

 

YJS4409A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJS4409A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 674 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для YJS4409A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS4409A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1159K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs4409a.pdf pdf_icon

YJS4409A

RoHS COMPLIANT YJS4409A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -30V DS I -18A D R ( at V =-20V) 5.5mohm DS(ON) GS R ( at V =-10V) 6.0mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 10mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed swit

Другие MOSFET... YJQD30P02A , YJS03N10A , YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , 20N60 , YJS4606A , YJS8205A , CSD15380F3 , CSD17581Q5A , CSD17585F5 , CSD18543Q3A , CSD19538Q3A , CSD23280F3 .

History: SI4N60L-TN3-R | SSW7N60B | HAT1024RJ | WSF45P10 | IRLML0040 | IRFB4620 | VTI640

 

 
Back to Top

 


 
.