YJS4606A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YJS4606A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 12.22 nC
   Tiempo de subida (tr): 28.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 78 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YJS4606A

YJS4606A Datasheet (PDF)

..1. Size:1633K cn yangzhou yangjie elec
yjs4606a.pdf

RoHS COMPLIANT YJS4606A N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 30V DS I 6A D R ( at VGS=10V) 29mohm DS(ON) R ( at VGS=4.5V) 40mohm DS(ON)PMOS V -30V DS I -5A D R ( at VGS=-10V) 55mohm DS(ON) R ( at VGS=-4.5V) 68mohm DS(ON) 100% V Tested DSGeneral Description Tr

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: