YJS4606A Todos los transistores

 

YJS4606A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJS4606A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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YJS4606A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1633K  cn yangzhou yangjie elec
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YJS4606A

RoHS COMPLIANT YJS4606A N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 30V DS I 6A D R ( at VGS=10V) 29mohm DS(ON) R ( at VGS=4.5V) 40mohm DS(ON)PMOS V -30V DS I -5A D R ( at VGS=-10V) 55mohm DS(ON) R ( at VGS=-4.5V) 68mohm DS(ON) 100% V Tested DSGeneral Description Tr

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History: R6530ENZ1 | TPA65R380D | LNH08R085

 

 
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