YJS4606A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: YJS4606A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.22 nC
trⓘ - Время нарастания: 28.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: SOP8
YJS4606A Datasheet (PDF)
yjs4606a.pdf
RoHS COMPLIANT YJS4606A N-Channel and P-Channel Complementary Power MOSFET Product Summary NMOS V 30V DS I 6A D R ( at VGS=10V) 29mohm DS(ON) R ( at VGS=4.5V) 40mohm DS(ON)PMOS V -30V DS I -5A D R ( at VGS=-10V) 55mohm DS(ON) R ( at VGS=-4.5V) 68mohm DS(ON) 100% V Tested DSGeneral Description Tr
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918