YJS8205A Todos los transistores

 

YJS8205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YJS8205A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de YJS8205A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

YJS8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1323K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs8205a.pdf pdf_icon

YJS8205A

RoHS COMPLIANT YJS8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 5.5A D R ( at V =4.5V) 25mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 32mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 49mohm DS(ON) GS 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High Power and current handing capability

Otros transistores... YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , IRF540N , CSD15380F3 , CSD17581Q5A , CSD17585F5 , CSD18543Q3A , CSD19538Q3A , CSD23280F3 , CSD86360Q5D , CSD87333Q3D .

History: WMK25N50C4 | SIHP10N40D | TPD80R750C | LNH08R085 | R6520KNJ | RU30120S

 

 
Back to Top

 


 
.