YJS8205A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YJS8205A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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YJS8205A datasheet

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YJS8205A

RoHS COMPLIANT YJS8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 5.5A D R ( at V =4.5V) 25mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 32mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 49mohm DS(ON) GS 100% V Tested DS General Description Trench Power MV MOSFET technology High Power and current handing capability

Otros transistores... YJS10N04A, YJS12G06D, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, YJS4409A, YJS4606A, IRF540, CSD15380F3, CSD17581Q5A, CSD17585F5, CSD18543Q3A, CSD19538Q3A, CSD23280F3, CSD86360Q5D, CSD87333Q3D