YJS8205A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: YJS8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для YJS8205A
YJS8205A Datasheet (PDF)
yjs8205a.pdf

RoHS COMPLIANT YJS8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 5.5A D R ( at V =4.5V) 25mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 32mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 49mohm DS(ON) GS 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High Power and current handing capability
Другие MOSFET... YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , IRF540 , CSD15380F3 , CSD17581Q5A , CSD17585F5 , CSD18543Q3A , CSD19538Q3A , CSD23280F3 , CSD86360Q5D , CSD87333Q3D .
History: BUZ345 | NTMFS23D9N06HLT1G | BUZ73LH | FCPF190N65S3R0L | STI8N65M5 | DKG1020 | IRC730PBF
History: BUZ345 | NTMFS23D9N06HLT1G | BUZ73LH | FCPF190N65S3R0L | STI8N65M5 | DKG1020 | IRC730PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor