YJS8205A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: YJS8205A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для YJS8205A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS8205A даташит

 ..1. Size:1323K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs8205a.pdf pdf_icon

YJS8205A

RoHS COMPLIANT YJS8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 5.5A D R ( at V =4.5V) 25mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 32mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 49mohm DS(ON) GS 100% V Tested DS General Description Trench Power MV MOSFET technology High Power and current handing capability

Другие IGBT... YJS10N04A, YJS12G06D, YJS2022A, YJS2301A, YJS2308A, YJS3404A, YJS4409A, YJS4606A, IRF540, CSD15380F3, CSD17581Q5A, CSD17585F5, CSD18543Q3A, CSD19538Q3A, CSD23280F3, CSD86360Q5D, CSD87333Q3D