Справочник MOSFET. YJS8205A

 

YJS8205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YJS8205A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для YJS8205A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YJS8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1323K  cn yangzhou yangjie elec
 yjs8205a.pdf pdf_icon

YJS8205A

RoHS COMPLIANT YJS8205A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 20V DS I 5.5A D R ( at V =4.5V) 25mohm DS(ON) GS R ( at V =2.5V) 32mohm DS(ON) GS R ( at V =1.8V) 49mohm DS(ON) GS 100% V Tested DSGeneral Description Trench Power MV MOSFET technology High Power and current handing capability

Другие MOSFET... YJS10N04A , YJS12G06D , YJS2022A , YJS2301A , YJS2308A , YJS3404A , YJS4409A , YJS4606A , IRF540N , CSD15380F3 , CSD17581Q5A , CSD17585F5 , CSD18543Q3A , CSD19538Q3A , CSD23280F3 , CSD86360Q5D , CSD87333Q3D .

History: SKI10195 | NCE0208KA | SVD540DTR | IRFPF20 | NCE1505S | DMN2009LSS | SM1200NSAS

 

 
Back to Top

 


 
.