FDB2710 Todos los transistores

 

FDB2710 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB2710
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0425 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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FDB2710 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  fairchild semi
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FDB2710

November 2006FDB2710tm250V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description DescriptionThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- 50A, 250V, RDS(on) = 36.3m @VGS = 10 Vductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low gate chargemaintain superior switching

 ..2. Size:356K  inchange semiconductor
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FDB2710

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB2710FEATURESDrain Current : I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 42.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

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History: STB80PF55T4

 

 
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