FDB2710 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDB2710
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0425 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDB2710

FDB2710 Datasheet (PDF)

..1. Size:609K fairchild semi
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November 2006FDB2710tm250V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description DescriptionThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- 50A, 250V, RDS(on) = 36.3m @VGS = 10 Vductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low gate chargemaintain superior switching

..2. Size:356K inchange semiconductor
fdb2710.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB2710FEATURESDrain Current : I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 42.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: