FDB2710 Todos los transistores

 

FDB2710 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB2710

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0425 Ohm

Encapsulados: TO263 D2PAK

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FDB2710 datasheet

 ..1. Size:609K  fairchild semi
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FDB2710

November 2006 FDB2710 tm 250V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- 50A, 250V, RDS(on) = 36.3m @VGS = 10 V ductor s advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low gate charge maintain superior switching

 ..2. Size:356K  inchange semiconductor
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FDB2710

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB2710 FEATURES Drain Current I = 50A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 42.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. A

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