FDB2710 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDB2710 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDB2710
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0425 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
 

 Аналог (замена) для FDB2710

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB2710 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  fairchild semi
 fdb2710.pdf pdf_icon

FDB2710

November 2006FDB2710tm250V N-Channel PowerTrench MOSFETGeneral Description DescriptionThis N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- 50A, 250V, RDS(on) = 36.3m @VGS = 10 Vductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speedcially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low gate chargemaintain superior switching

 ..2. Size:356K  inchange semiconductor
 fdb2710.pdf pdf_icon

FDB2710

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB2710FEATURESDrain Current : I = 50A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 42.5m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.A

Другие MOSFET... STU408D , FDB15N50 , FDB2532 , FDB2532F085 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 , STU409DH , SPP20N60C3 , FDB28N30TM , FDB33N25 , FDB3502 , FDB3632 , STU40N01 , FDB3652F085 , STU410S , FDB3672F085 .

 

 
Back to Top

 


 
.