FDB2710 - описание и поиск аналогов

 

FDB2710. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB2710

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0425 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB2710

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB2710 даташит

 ..1. Size:609K  fairchild semi
 fdb2710.pdf pdf_icon

FDB2710

November 2006 FDB2710 tm 250V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon- 50A, 250V, RDS(on) = 36.3m @VGS = 10 V ductor s advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet Low gate charge maintain superior switching

 ..2. Size:356K  inchange semiconductor
 fdb2710.pdf pdf_icon

FDB2710

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB2710 FEATURES Drain Current I = 50A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 42.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. A

Другие MOSFET... STU408D , FDB15N50 , FDB2532 , FDB2532F085 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 , STU409DH , SKD502T , FDB28N30TM , FDB33N25 , FDB3502 , FDB3632 , STU40N01 , FDB3652F085 , STU410S , FDB3672F085 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.