FDB28N30TM Todos los transistores

 

FDB28N30TM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB28N30TM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.129 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDB28N30TM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  fairchild semi
 fdb28n30tm.pdf pdf_icon

FDB28N30TM

June 2007UniFETTMFDB28N30tmN-Channel MOSFET 300V, 28A, 0.129Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 39nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF)This advanced technology has been especia

 6.1. Size:665K  onsemi
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FDB28N30TM

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: SSM3J35FS | JCS620FT | 2SJ319S | BSC060P03NS3EG

 

 
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