FDB28N30TM - описание и поиск аналогов

 

FDB28N30TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB28N30TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.129 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB28N30TM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB28N30TM даташит

 ..1. Size:314K  fairchild semi
 fdb28n30tm.pdf pdf_icon

FDB28N30TM

June 2007 UniFETTM FDB28N30 tm N-Channel MOSFET 300V, 28A, 0.129 Features Description RDS(on) = 0.108 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 14A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 39nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 35pF) This advanced technology has been especia

 6.1. Size:665K  onsemi
 fdb28n30.pdf pdf_icon

FDB28N30TM

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDB15N50 , FDB2532 , FDB2532F085 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 , STU409DH , FDB2710 , K4145 , FDB33N25 , FDB3502 , FDB3632 , STU40N01 , FDB3652F085 , STU410S , FDB3672F085 , STU411D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.