FDB33N25 Todos los transistores

 

FDB33N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB33N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm

Encapsulados: TO263 D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de FDB33N25 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDB33N25 datasheet

 ..1. Size:916K  fairchild semi
 fdb33n25 fdi33n25.pdf pdf_icon

FDB33N25

May 2006 TM UniFET FDB33N25 / FDI33N25 250V N-Channel MOSFET Features Description 33A, 250V, RDS(on) = 0.094 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 36.8 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 39 pF) This advanced technology has been especially

 ..2. Size:534K  onsemi
 fdb33n25.pdf pdf_icon

FDB33N25

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FDB2532 , FDB2532F085 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 , STU409DH , FDB2710 , FDB28N30TM , 13N50 , FDB3502 , FDB3632 , STU40N01 , FDB3652F085 , STU410S , FDB3672F085 , STU411D , FDB3682 .

History: CJK1508 | FTK830P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.