FDB33N25 Todos los transistores

 

FDB33N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB33N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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FDB33N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:916K  fairchild semi
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FDB33N25

May 2006 TMUniFETFDB33N25 / FDI33N25250V N-Channel MOSFETFeatures Description 33A, 250V, RDS(on) = 0.094 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 36.8 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 39 pF)This advanced technology has been especially

 ..2. Size:534K  onsemi
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FDB33N25

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: NTR4003NT1G | MTB36N06V | IPP051N15N5 | SFP035N95C3 | SSF80R240S | RU30P4H | IPP030N10N3

 

 
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