FDB33N25 - описание и поиск аналогов

 

FDB33N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB33N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB33N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB33N25 даташит

 ..1. Size:916K  fairchild semi
 fdb33n25 fdi33n25.pdf pdf_icon

FDB33N25

May 2006 TM UniFET FDB33N25 / FDI33N25 250V N-Channel MOSFET Features Description 33A, 250V, RDS(on) = 0.094 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 36.8 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 39 pF) This advanced technology has been especially

 ..2. Size:534K  onsemi
 fdb33n25.pdf pdf_icon

FDB33N25

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDB2532 , FDB2532F085 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 , STU409DH , FDB2710 , FDB28N30TM , 13N50 , FDB3502 , FDB3632 , STU40N01 , FDB3652F085 , STU410S , FDB3672F085 , STU411D , FDB3682 .

History: STD11NM60N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.