TMP20N65H Todos los transistores

 

TMP20N65H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMP20N65H
   Código: P20N65H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 291 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TMP20N65H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  cn wuxi unigroup
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TMP20N65H

TMA20N65H, TMP20N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA20N65H TO-220F A2

 8.1. Size:409K  trinnotech
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TMP20N65H

TMP20N50/TMPF20N50 TMP20N50G/TMPF20N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 18A Low gate charge RDS(on) = 0.3 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP20N50 / TMPF20N50 TO-220 / TO-220F TMP20N50 / TMPF20N50 RoHS TMP20N50

 8.2. Size:621K  trinnotech
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TMP20N65H

TMP20N50A(G)/TMPF20N50A(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

Otros transistores... TMA10N60H , TMA10N65H , TMP10N65H , TMA10N80H , TMA12N50H , TMA12N65H , TMP12N65H , TMA20N65H , IRF4905 , TMA20N65HG , TMW20N65HG , TMA2N60H , TMD2N60H , TMT2N60H , TMU2N60H , TMA4N60H , TMU4N60H .

 

 
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