TMP20N65H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMP20N65H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 416 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 291 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO220

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TMP20N65H datasheet

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TMP20N65H

TMA20N65H, TMP20N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA20N65H TO-220F A2

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TMP20N65H

TMP20N50/TMPF20N50 TMP20N50G/TMPF20N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 18A Low gate charge RDS(on) = 0.3 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP20N50 / TMPF20N50 TO-220 / TO-220F TMP20N50 / TMPF20N50 RoHS TMP20N50

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TMP20N65H

TMP20N50A(G)/TMPF20N50A(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

Otros transistores... TMA10N60H, TMA10N65H, TMP10N65H, TMA10N80H, TMA12N50H, TMA12N65H, TMP12N65H, TMA20N65H, IRF4905, TMA20N65HG, TMW20N65HG, TMA2N60H, TMD2N60H, TMT2N60H, TMU2N60H, TMA4N60H, TMU4N60H