TMP20N65H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMP20N65H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 291 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TMP20N65H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP20N65H даташит

 ..1. Size:364K  cn wuxi unigroup
 tma20n65h tmp20n65h.pdf pdf_icon

TMP20N65H

TMA20N65H, TMP20N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA20N65H TO-220F A2

 8.1. Size:409K  trinnotech
 tmp20n50 tmpf20n50.pdf pdf_icon

TMP20N65H

TMP20N50/TMPF20N50 TMP20N50G/TMPF20N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 18A Low gate charge RDS(on) = 0.3 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP20N50 / TMPF20N50 TO-220 / TO-220F TMP20N50 / TMPF20N50 RoHS TMP20N50

 8.2. Size:621K  trinnotech
 tmp20n50a tmpf20n50a.pdf pdf_icon

TMP20N65H

TMP20N50A(G)/TMPF20N50A(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

Другие IGBT... TMA10N60H, TMA10N65H, TMP10N65H, TMA10N80H, TMA12N50H, TMA12N65H, TMP12N65H, TMA20N65H, IRF4905, TMA20N65HG, TMW20N65HG, TMA2N60H, TMD2N60H, TMT2N60H, TMU2N60H, TMA4N60H, TMU4N60H