TMW20N65HG Todos los transistores

 

TMW20N65HG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMW20N65HG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 249.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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TMW20N65HG Datasheet (PDF)

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TMW20N65HG

TMA20N65HG,TMW20N65HG Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V N-Channel MOSFET Description 650V N-Channel MOSFET VDMOSFET is a double-diffusion device which the current flows is vertically, and is a voltage-controlled device. Under the control of the appropriate gate voltage, the semiconductor surface is inverted, forming a conductive channel and an appropriate amount of curre

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History: IPI80P03P4L-07 | SIHP11N80E | WCM2068 | 4N80 | IPI80N06S4-07 | IRFS3006 | IRFR1018E

 

 
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