TMW20N65HG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMW20N65HG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 249.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO247

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TMW20N65HG datasheet

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TMW20N65HG

TMA20N65HG,TMW20N65HG Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V N-Channel MOSFET Description 650V N-Channel MOSFET VDMOSFET is a double-diffusion device which the current flows is vertically, and is a voltage-controlled device. Under the control of the appropriate gate voltage, the semiconductor surface is inverted, forming a conductive channel and an appropriate amount of curre

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