TMW20N65HG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMW20N65HG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 249.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для TMW20N65HG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMW20N65HG даташит

 ..1. Size:748K  cn wuxi unigroup
 tma20n65hg tmw20n65hg.pdf pdf_icon

TMW20N65HG

TMA20N65HG,TMW20N65HG Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V N-Channel MOSFET Description 650V N-Channel MOSFET VDMOSFET is a double-diffusion device which the current flows is vertically, and is a voltage-controlled device. Under the control of the appropriate gate voltage, the semiconductor surface is inverted, forming a conductive channel and an appropriate amount of curre

Другие IGBT... TMP10N65H, TMA10N80H, TMA12N50H, TMA12N65H, TMP12N65H, TMA20N65H, TMP20N65H, TMA20N65HG, AO3401, TMA2N60H, TMD2N60H, TMT2N60H, TMU2N60H, TMA4N60H, TMU4N60H, TMD4N60H, TMP4N60H