Справочник MOSFET. TMW20N65HG

 

TMW20N65HG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMW20N65HG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 249.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для TMW20N65HG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMW20N65HG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  cn wuxi unigroup
 tma20n65hg tmw20n65hg.pdf pdf_icon

TMW20N65HG

TMA20N65HG,TMW20N65HG Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V N-Channel MOSFET Description 650V N-Channel MOSFET VDMOSFET is a double-diffusion device which the current flows is vertically, and is a voltage-controlled device. Under the control of the appropriate gate voltage, the semiconductor surface is inverted, forming a conductive channel and an appropriate amount of curre

Другие MOSFET... TMP10N65H , TMA10N80H , TMA12N50H , TMA12N65H , TMP12N65H , TMA20N65H , TMP20N65H , TMA20N65HG , AO3400 , TMA2N60H , TMD2N60H , TMT2N60H , TMU2N60H , TMA4N60H , TMU4N60H , TMD4N60H , TMP4N60H .

History: JFFC13N65D | SUP60N06-18 | WML90R260S

 

 
Back to Top

 


 
.