FDB3502 Todos los transistores

 

FDB3502 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB3502

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm

Encapsulados: TO263 D2PAK

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FDB3502 datasheet

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FDB3502

May 2008 FDB3502 tm N-Channel Power Trench MOSFET 75V, 14A, 47m Features General Description Max rDS(on) = 47m at VGS = 10V, ID = 6A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has 100% UIL Tested been especially tailored to minimize the on-state resistance and RoHS Compliant yet maintain superior switching pe

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FDB3502

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FDB2532F085 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 , STU409DH , FDB2710 , FDB28N30TM , FDB33N25 , AON7410 , FDB3632 , STU40N01 , FDB3652F085 , STU410S , FDB3672F085 , STU411D , FDB3682 , STU412S .

History: WML07N65C4 | WMO16N65SR | SVS5N70D | WMM120P06TS | WML16N70SR | WMM120N04TS | WSF30P06

 

 

 

 

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