FDB3502 - описание и поиск аналогов

 

FDB3502. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB3502

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB3502

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB3502 даташит

 ..1. Size:354K  fairchild semi
 fdb3502.pdf pdf_icon

FDB3502

May 2008 FDB3502 tm N-Channel Power Trench MOSFET 75V, 14A, 47m Features General Description Max rDS(on) = 47m at VGS = 10V, ID = 6A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has 100% UIL Tested been especially tailored to minimize the on-state resistance and RoHS Compliant yet maintain superior switching pe

 ..2. Size:392K  onsemi
 fdb3502.pdf pdf_icon

FDB3502

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FDB2532F085 , FDB2552 , FDB2572 , FDB2614 , STU409DH , FDB2710 , FDB28N30TM , FDB33N25 , AON7410 , FDB3632 , STU40N01 , FDB3652F085 , STU410S , FDB3672F085 , STU411D , FDB3682 , STU412S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.