Справочник MOSFET. FDB3502

 

FDB3502 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB3502
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB3502 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  fairchild semi
 fdb3502.pdf pdf_icon

FDB3502

May 2008FDB3502tmN-Channel Power Trench MOSFET 75V, 14A, 47mFeatures General Description Max rDS(on) = 47m at VGS = 10V, ID = 6A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has 100% UIL Testedbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and RoHS Compliant yet maintain superior switching pe

 ..2. Size:392K  onsemi
 fdb3502.pdf pdf_icon

FDB3502

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CMT14N50 | UF640L-T2Q-T | IPD50R280CE | NTHL040N120SC1 | NCE8295AI | NDT6N70 | J300

 

 
Back to Top

 


 
.