TMP6N90H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP6N90H
Código: P6N90H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 105 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 47 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 119 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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TMP6N90H Datasheet (PDF)
tma6n90h tmp6n90h.pdf
TMA6N90H,TMP6N90H Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 900V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA6N90H TO-220F A6N90
tmp6n70 tmpf6n70.pdf
TMP6N70(G)/TMPF6N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 5.0A
tmp6n65 tmpf6n65.pdf
TMP6N65/TMPF6N65 TMP6N65G/TMPF6N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 5.5A Low gate charge RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP6N65 / TMPF6N65 TO-220 / TO-220F TMP6N65 / TMPF6N65 RoHS TMP6N65G / TMPF
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