TMP6N90H MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TMP6N90H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMP6N90H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.15 Ohm

Encapsulados: TO220

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TMP6N90H datasheet

..1. Size:525K cn wuxi unigroup
tma6n90h tmp6n90h.pdf pdf_icon

TMA6N90H,TMP6N90H Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 900V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA6N90H TO-220F A6N90

9.1. Size:1021K trinnotech
tmp6n70 tmpf6n70.pdf pdf_icon

TMP6N70(G)/TMPF6N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 5.0A

9.2. Size:577K trinnotech
tmp6n65 tmpf6n65.pdf pdf_icon

TMP6N65/TMPF6N65 TMP6N65G/TMPF6N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 5.5A Low gate charge RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP6N65 / TMPF6N65 TO-220 / TO-220F TMP6N65 / TMPF6N65 RoHS TMP6N65G / TMPF

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