TMP6N90H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMP6N90H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.15 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TMP6N90H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP6N90H даташит

 ..1. Size:525K  cn wuxi unigroup
 tma6n90h tmp6n90h.pdf pdf_icon

TMP6N90H

TMA6N90H,TMP6N90H Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 900V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA6N90H TO-220F A6N90

 9.1. Size:1021K  trinnotech
 tmp6n70 tmpf6n70.pdf pdf_icon

TMP6N90H

TMP6N70(G)/TMPF6N70(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 700V 5.0A

 9.2. Size:577K  trinnotech
 tmp6n65 tmpf6n65.pdf pdf_icon

TMP6N90H

TMP6N65/TMPF6N65 TMP6N65G/TMPF6N65G VDSS = 715 V @Tjmax Features ID = 5.5A Low gate charge RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP6N65 / TMPF6N65 TO-220 / TO-220F TMP6N65 / TMPF6N65 RoHS TMP6N65G / TMPF

Другие IGBT... TMD2N60H, TMT2N60H, TMU2N60H, TMA4N60H, TMU4N60H, TMD4N60H, TMP4N60H, TMA6N90H, 5N65, TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H, TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H