TMU7N60H Todos los transistores

 

TMU7N60H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMU7N60H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

TMU7N60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  cn wuxi unigroup
 tma7n60h tmc7n60h tmd7n60h tmu7n60h.pdf pdf_icon

TMU7N60H

TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TM

 7.1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

TMU7N60H

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

 8.1. Size:461K  trinnotech
 tmd7n65az tmu7n65az.pdf pdf_icon

TMU7N60H

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 8.2. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

TMU7N60H

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

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History: 21N06 | CS730A8RD | DMN4010LFG | AP0904GJB-HF | PNMTO600V2 | UPA2782GR | STI22NM60N

 

 
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