Справочник MOSFET. TMU7N60H

 

TMU7N60H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU7N60H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для TMU7N60H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU7N60H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  cn wuxi unigroup
 tma7n60h tmc7n60h tmd7n60h tmu7n60h.pdf pdf_icon

TMU7N60H

TMA7N60H, TMC7N60H, TMD7N60H, TMU7N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TM

 7.1. Size:457K  trinnotech
 tmd7n60z tmu7n60z.pdf pdf_icon

TMU7N60H

TMD7N60Z(G)/TMU7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 7A

 8.1. Size:461K  trinnotech
 tmd7n65az tmu7n65az.pdf pdf_icon

TMU7N60H

TMD7N65AZ(G)/TMU7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 8.2. Size:463K  trinnotech
 tmd7n65z tmu7n65z.pdf pdf_icon

TMU7N60H

TMD7N65Z(G)/TMU7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 650V 6.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMU4N60H , TMD4N60H , TMP4N60H , TMA6N90H , TMP6N90H , TMA7N60H , TMC7N60H , TMD7N60H , AO4407 , TMA7N65H , TMP7N65H , TMD7N65H , TMU7N65H , TMA8N60H , TMD8N60H , TMU8N60H , TMA8N65H .

History: SIA445EDJT

 

 
Back to Top

 


 
.