TMB120N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMB120N08A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de TMB120N08A MOSFET
TMB120N08A Datasheet (PDF)
tmb120n08a tmp120n08a.pdf

TMB120N08A,TMP120N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... TMU7N65H , TMA8N60H , TMD8N60H , TMU8N60H , TMA8N65H , TMC8N65H , TMD8N65H , TMU8N65H , 5N65 , TMP120N08A , TMB140N10A , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , TMU02N15AT .
History: UF740L-TF3-T | HFD1N60S | FQD8P10TF
History: UF740L-TF3-T | HFD1N60S | FQD8P10TF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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