Справочник MOSFET. TMB120N08A

 

TMB120N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMB120N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для TMB120N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMB120N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  cn wuxi unigroup
 tmb120n08a tmp120n08a.pdf pdf_icon

TMB120N08A

TMB120N08A,TMP120N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... TMU7N65H , TMA8N60H , TMD8N60H , TMU8N60H , TMA8N65H , TMC8N65H , TMD8N65H , TMU8N65H , 5N65 , TMP120N08A , TMB140N10A , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , TMU02N15AT .

History: NDP408A | DH019N04I | IXFA4N100Q | STB24NM60N | HU5N50 | ME4174-G

 

 
Back to Top

 


 
.