TMB120N08A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMB120N08A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для TMB120N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMB120N08A даташит

 ..1. Size:446K  cn wuxi unigroup
 tmb120n08a tmp120n08a.pdf pdf_icon

TMB120N08A

TMB120N08A,TMP120N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TMU7N65H, TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H, TMA8N65H, TMC8N65H, TMD8N65H, TMU8N65H, 2SK3568, TMP120N08A, TMB140N10A, TMB160N08A, TMP160N08A, TMB80N08A, TMP80N08A, TMD02N15AT, TMU02N15AT