TMB140N10A Todos los transistores

 

TMB140N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMB140N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de TMB140N10A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TMB140N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  cn wuxi unigroup
tmb140n10a.pdf pdf_icon

TMB140N10A

TMB140N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel Trench MOSFET FEATURES High Density Cell Design for Ultra Low Rdson Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Good Stability with High EAS Excellent Package for Good Heat Dissipation APPLICATIONS Power Switching Application Hard Switched and High Frequency Circuits Uninter

Otros transistores... TMD8N60H , TMU8N60H , TMA8N65H , TMC8N65H , TMD8N65H , TMU8N65H , TMB120N08A , TMP120N08A , 13N50 , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A .

 

 
Back to Top

 


 
.