Справочник MOSFET. TMB140N10A

 

TMB140N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMB140N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для TMB140N10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMB140N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  cn wuxi unigroup
 tmb140n10a.pdf pdf_icon

TMB140N10A

TMB140N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel Trench MOSFET FEATURES High Density Cell Design for Ultra Low Rdson Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Good Stability with High EAS Excellent Package for Good Heat Dissipation APPLICATIONS Power Switching Application Hard Switched and High Frequency Circuits Uninter

Другие MOSFET... TMD8N60H , TMU8N60H , TMA8N65H , TMC8N65H , TMD8N65H , TMU8N65H , TMB120N08A , TMP120N08A , 13N50 , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A .

History: IRL40T209 | IRFR2407 | HRP90N75K | STB36NM60ND | WNM07N60 | FDB3672-F085 | WML26N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.