TMB140N10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMB140N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для TMB140N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMB140N10A даташит

 ..1. Size:451K  cn wuxi unigroup
 tmb140n10a.pdf pdf_icon

TMB140N10A

TMB140N10A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 100V N-Channel Trench MOSFET FEATURES High Density Cell Design for Ultra Low Rdson Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Good Stability with High EAS Excellent Package for Good Heat Dissipation APPLICATIONS Power Switching Application Hard Switched and High Frequency Circuits Uninter

Другие IGBT... TMD8N60H, TMU8N60H, TMA8N65H, TMC8N65H, TMD8N65H, TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, 5N60, TMB160N08A, TMP160N08A, TMB80N08A, TMP80N08A, TMD02N15AT, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A