TMB160N08A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMB160N08A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 283 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO263

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TMB160N08A datasheet

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TMB160N08A

TMB160N08A,TMP160N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TMU8N60H, TMA8N65H, TMC8N65H, TMD8N65H, TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, TMB140N10A, RFP50N06, TMP160N08A, TMB80N08A, TMP80N08A, TMD02N15AT, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A, TPA120R800A