TMB160N08A Todos los transistores

 

TMB160N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMB160N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 283 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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TMB160N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  cn wuxi unigroup
 tmb160n08a tmp160n08a.pdf pdf_icon

TMB160N08A

TMB160N08A,TMP160N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TMU8N60H , TMA8N65H , TMC8N65H , TMD8N65H , TMU8N65H , TMB120N08A , TMP120N08A , TMB140N10A , SKD502T , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A .

History: HY12N65T | CEB02N65D | SM6536D1RL | FQD50P06 | AP60SL600DI | AP50WN650I

 

 
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