Справочник MOSFET. TMB160N08A

 

TMB160N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMB160N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для TMB160N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMB160N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:445K  cn wuxi unigroup
 tmb160n08a tmp160n08a.pdf pdf_icon

TMB160N08A

TMB160N08A,TMP160N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET Product Summary Features Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... TMU8N60H , TMA8N65H , TMC8N65H , TMD8N65H , TMU8N65H , TMB120N08A , TMP120N08A , TMB140N10A , SKD502T , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A .

History: VN1206N1 | FDP032N08B | IRF5850 | STB30NF10T4 | IRLU3410PBF

 

 
Back to Top

 


 
.