TMB80N08A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMB80N08A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO263

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TMB80N08A datasheet

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TMB80N08A

TMB80N08A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 80V N-Channel Trench MOSFET FEATURES High Density Cell Design for Ultra Low Rdson Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Good Stability with High EAS Excellent Package for Good Heat Dissipation APPLICATIONS Power Switching Application Hard Switched and High Frequency Circuits Uninterru

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TMB80N08A

TMB80N08A,TMP80N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TMC8N65H, TMD8N65H, TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, TMB140N10A, TMB160N08A, TMP160N08A, AO3407, TMP80N08A, TMD02N15AT, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A, TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A