TMB80N08A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMB80N08A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для TMB80N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMB80N08A даташит

 ..1. Size:377K  cn wuxi unigroup
 tmb80n08a.pdf pdf_icon

TMB80N08A

TMB80N08A Wuxi Unigroup Microelectronics Company 80V N-Channel Trench MOSFET FEATURES High Density Cell Design for Ultra Low Rdson Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Good Stability with High EAS Excellent Package for Good Heat Dissipation APPLICATIONS Power Switching Application Hard Switched and High Frequency Circuits Uninterru

 ..2. Size:670K  cn wuxi unigroup
 tmb80n08a tmp80n08a.pdf pdf_icon

TMB80N08A

TMB80N08A,TMP80N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TMC8N65H, TMD8N65H, TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, TMB140N10A, TMB160N08A, TMP160N08A, AO3407, TMP80N08A, TMD02N15AT, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A, TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A