TMP80N08A Todos los transistores

 

TMP80N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMP80N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TMP80N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:670K  cn wuxi unigroup
 tmb80n08a tmp80n08a.pdf pdf_icon

TMP80N08A

TMB80N08A,TMP80N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TMD8N65H , TMU8N65H , TMB120N08A , TMP120N08A , TMB140N10A , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , RU6888R , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A , TPB120R800A , TPW120R800A , TPA60R160M .

History: AO3401MI-MS | BSB053N03LPG | AOSX32128 | JMSH0606PGDQ | AONP38324 | WMJ36N60C4

 

 
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