TMP80N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TMP80N08A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de TMP80N08A MOSFET
TMP80N08A Datasheet (PDF)
tmb80n08a tmp80n08a.pdf

TMB80N08A,TMP80N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... TMD8N65H , TMU8N65H , TMB120N08A , TMP120N08A , TMB140N10A , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , 75N75 , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A , TPB120R800A , TPW120R800A , TPA60R160M .
History: RU3020L | STC6332 | FQPF47P06YDTU | AOTF12N65L | TPC65R750C | TPU65R600M
History: RU3020L | STC6332 | FQPF47P06YDTU | AOTF12N65L | TPC65R750C | TPU65R600M



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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