TMP80N08A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMP80N08A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для TMP80N08A
TMP80N08A Datasheet (PDF)
tmb80n08a tmp80n08a.pdf
TMB80N08A,TMP80N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... TMD8N65H , TMU8N65H , TMB120N08A , TMP120N08A , TMB140N10A , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , 18N50 , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A , TPB120R800A , TPW120R800A , TPA60R160M .
History: 2SK2531 | BSB053N03LPG | 30N06L-TF1-T
History: 2SK2531 | BSB053N03LPG | 30N06L-TF1-T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet


