TMP80N08A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMP80N08A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TMP80N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP80N08A даташит

 ..1. Size:670K  cn wuxi unigroup
 tmb80n08a tmp80n08a.pdf pdf_icon

TMP80N08A

TMB80N08A,TMP80N08A Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 80V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description Trench Power Technology VDS 80V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 80A Low Gate Charge Optimized for fast-switching Applications RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TMD8N65H, TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, TMB140N10A, TMB160N08A, TMP160N08A, TMB80N08A, 18N50, TMD02N15AT, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A, TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A, TPA60R160M