TMD02N15AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TMD02N15AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO252

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TMD02N15AT datasheet

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TMD02N15AT

TMD02N15AT, TMU02N15AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 150V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 150V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, TMB140N10A, TMB160N08A, TMP160N08A, TMB80N08A, TMP80N08A, 20N50, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A, TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A, TPA60R160M, TPP60R160M