TMD02N15AT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMD02N15AT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TMD02N15AT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD02N15AT даташит

 ..1. Size:748K  cn wuxi unigroup
 tmd02n15at tmu02n15at.pdf pdf_icon

TMD02N15AT

TMD02N15AT, TMU02N15AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 150V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 150V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... TMU8N65H, TMB120N08A, TMP120N08A, TMB140N10A, TMB160N08A, TMP160N08A, TMB80N08A, TMP80N08A, 20N50, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A, TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A, TPA60R160M, TPP60R160M