TMU02N15AT Todos los transistores

 

TMU02N15AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TMU02N15AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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TMU02N15AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  cn wuxi unigroup
 tmd02n15at tmu02n15at.pdf pdf_icon

TMU02N15AT

TMD02N15AT, TMU02N15AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 150V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 150V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... TMB120N08A , TMP120N08A , TMB140N10A , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , CS150N03A8 , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A , TPB120R800A , TPW120R800A , TPA60R160M , TPP60R160M , TPV60R160M .

History: NTMS4404NR2 | RUH1H150M-C | FTK4953 | FDPC8014AS | IRF5810 | SSW4668 | HCD80R1K2

 

 
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