TMU02N15AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TMU02N15AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для TMU02N15AT
TMU02N15AT Datasheet (PDF)
tmd02n15at tmu02n15at.pdf

TMD02N15AT, TMU02N15AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 150V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 150V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... TMB120N08A , TMP120N08A , TMB140N10A , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , CS150N03A8 , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A , TPB120R800A , TPW120R800A , TPA60R160M , TPP60R160M , TPV60R160M .
History: OSG55R290AF | IRLL024ZPBF
History: OSG55R290AF | IRLL024ZPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor