Справочник MOSFET. TMU02N15AT

 

TMU02N15AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU02N15AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для TMU02N15AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU02N15AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  cn wuxi unigroup
 tmd02n15at tmu02n15at.pdf pdf_icon

TMU02N15AT

TMD02N15AT, TMU02N15AT Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD. 150V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary) Product Summary General Description VDS 150V Trench Power Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... TMB120N08A , TMP120N08A , TMB140N10A , TMB160N08A , TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , CS150N03A8 , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A , TPB120R800A , TPW120R800A , TPA60R160M , TPP60R160M , TPV60R160M .

History: OSG55R290AF | IRLL024ZPBF

 

 
Back to Top

 


 
.