TPB120R800A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPB120R800A
Código: 120R800A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 151 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 71 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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TPB120R800A Datasheet (PDF)
tpa120r800a tpb120r800a tpw120r800a.pdf
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TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd1200V Super-junction Power MOSFETDescription1200V super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses de
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