TPB120R800A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPB120R800A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для TPB120R800A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPB120R800A даташит

 ..1. Size:683K  cn wuxi unigroup
 tpa120r800a tpb120r800a tpw120r800a.pdf pdf_icon

TPB120R800A

TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 1200V Super-junction Power MOSFET Description 1200V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses de

Другие IGBT... TMP160N08A, TMB80N08A, TMP80N08A, TMD02N15AT, TMU02N15AT, TMP120N10A, TMP160N10A, TPA120R800A, 2N60, TPW120R800A, TPA60R160M, TPP60R160M, TPV60R160M, TPW60R160M, TPA60R170MFD, TPA60R240M, TPB60R240M