Справочник MOSFET. TPB120R800A

 

TPB120R800A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPB120R800A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для TPB120R800A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPB120R800A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  cn wuxi unigroup
 tpa120r800a tpb120r800a tpw120r800a.pdf pdf_icon

TPB120R800A

TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd1200V Super-junction Power MOSFETDescription1200V super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses de

Другие MOSFET... TMP160N08A , TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A , IRF830 , TPW120R800A , TPA60R160M , TPP60R160M , TPV60R160M , TPW60R160M , TPA60R170MFD , TPA60R240M , TPB60R240M .

History: STS65R190FS2 | IRFHM8342 | IRF250P224 | VS3P07C | WMJ25N70EM | HM4402B | SPB07N60C2

 

 
Back to Top

 


 
.