TPW120R800A Todos los transistores

 

TPW120R800A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPW120R800A
   Código: 120R800A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 151 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 60 nC
   Tiempo de subida (tr): 71 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 66 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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TPW120R800A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  cn wuxi unigroup
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TPW120R800A
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