TPW120R800A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPW120R800A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO247

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TPW120R800A datasheet

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TPW120R800A

TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 1200V Super-junction Power MOSFET Description 1200V super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses de

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