TPW120R800A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TPW120R800A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для TPW120R800A
TPW120R800A Datasheet (PDF)
tpa120r800a tpb120r800a tpw120r800a.pdf

TPA120R800A, TPB120R800A, TPW120R800A Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd1200V Super-junction Power MOSFETDescription1200V super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses de
Другие MOSFET... TMB80N08A , TMP80N08A , TMD02N15AT , TMU02N15AT , TMP120N10A , TMP160N10A , TPA120R800A , TPB120R800A , IRFB31N20D , TPA60R160M , TPP60R160M , TPV60R160M , TPW60R160M , TPA60R170MFD , TPA60R240M , TPB60R240M , TPC60R240M .
History: 2SJ530L | ALD1102ASAL | AOD66923
History: 2SJ530L | ALD1102ASAL | AOD66923



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84