TPY65R1K5MB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPY65R1K5MB
Código: 65R1K5M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 6.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 7 nC
Tiempo de subida (tr): 7.7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
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TPY65R1K5MB Datasheet (PDF)
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TPA65R1K5M,TPD65R1K5M,TPU65R1K5M,TPY65R1K5MB Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction los
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