Справочник MOSFET. TPY65R1K5MB

 

TPY65R1K5MB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TPY65R1K5MB
   Маркировка: 65R1K5M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
   Время нарастания (tr): 7.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 10 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для TPY65R1K5MB

 

 

TPY65R1K5MB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  cn wuxi unigroup
 tpa65r1k5m tpd65r1k5m tpu65r1k5m tpy65r1k5mb.pdf

TPY65R1K5MB TPY65R1K5MB

TPA65R1K5M,TPD65R1K5M,TPU65R1K5M,TPY65R1K5MB Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction los

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top