TPY65R1K5MB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPY65R1K5MB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для TPY65R1K5MB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPY65R1K5MB даташит

 ..1. Size:698K  cn wuxi unigroup
 tpa65r1k5m tpd65r1k5m tpu65r1k5m tpy65r1k5mb.pdf pdf_icon

TPY65R1K5MB

TPA65R1K5M,TPD65R1K5M,TPU65R1K5M,TPY65R1K5MB Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 650V Super-junction Power MOSFET Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction los

Другие IGBT... TPP65R170M, TPV65R170M, TPW65R170M, TPA65R180D, TPA65R190MFD, TPA65R1K5M, TPD65R1K5M, TPU65R1K5M, 2N7000, TPA65R260M, TPB65R260M, TPC65R260M, TPP65R260M, TPV65R260M, TPW65R260M, TPA65R280D, TPB65R280D