TPR70R600M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPR70R600M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP-NL
Búsqueda de reemplazo de TPR70R600M MOSFET
TPR70R600M Datasheet (PDF)
tpa70r600m tpb70r600m tpd70r600m tpr70r600m tpu70r600m.pdf

TPA70R600M,TPB70R600M,TPD70R600M,TPR70R600M,TPU70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conductio
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History: RU190N10Q | FDMA1430JP | NVMFS5C404N | SQ3457EV | CS5N70D | HGN077N10SL | VBMB165R18
History: RU190N10Q | FDMA1430JP | NVMFS5C404N | SQ3457EV | CS5N70D | HGN077N10SL | VBMB165R18



Liste
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