TPR70R600M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPR70R600M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FP-NL
Búsqueda de reemplazo de TPR70R600M MOSFET
TPR70R600M Datasheet (PDF)
tpa70r600m tpb70r600m tpd70r600m tpr70r600m tpu70r600m.pdf

TPA70R600M,TPB70R600M,TPD70R600M,TPR70R600M,TPU70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conductio
Otros transistores... TPB70R450C , TPC70R450C , TPD70R450C , TPP70R450C , TPU70R450C , TPA70R600M , TPB70R600M , TPD70R600M , RU6888R , TPU70R600M , TPA73R190M , TPA73R300M , TPA73R400M , TPA80R180M , TPB80R180M , TPA80R250A , TPP80R250A .
History: AFP6405WS | 2SK1849 | SLD5N65S | NCEP40T13AGU | SPN10T10 | CSD17577Q3A | NVS4001N
History: AFP6405WS | 2SK1849 | SLD5N65S | NCEP40T13AGU | SPN10T10 | CSD17577Q3A | NVS4001N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent