TPR70R600M Todos los transistores

 

TPR70R600M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPR70R600M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP-NL
 

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TPR70R600M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  cn wuxi unigroup
 tpa70r600m tpb70r600m tpd70r600m tpr70r600m tpu70r600m.pdf pdf_icon

TPR70R600M

TPA70R600M,TPB70R600M,TPD70R600M,TPR70R600M,TPU70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conductio

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History: TPC65R260M | NCE65T260F

 

 
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