TPR70R600M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TPR70R600M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO220FP-NL
Аналог (замена) для TPR70R600M
TPR70R600M Datasheet (PDF)
tpa70r600m tpb70r600m tpd70r600m tpr70r600m tpu70r600m.pdf

TPA70R600M,TPB70R600M,TPD70R600M,TPR70R600M,TPU70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conductio
Другие MOSFET... TPB70R450C , TPC70R450C , TPD70R450C , TPP70R450C , TPU70R450C , TPA70R600M , TPB70R600M , TPD70R600M , RU6888R , TPU70R600M , TPA73R190M , TPA73R300M , TPA73R400M , TPA80R180M , TPB80R180M , TPA80R250A , TPP80R250A .
History: NCE65T260F | TPC65R260M | SIHP12N50C
History: NCE65T260F | TPC65R260M | SIHP12N50C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c2389 transistor | c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent