TPR70R600M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPR70R600M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO220FP-NL

Аналог (замена) для TPR70R600M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPR70R600M даташит

 ..1. Size:1095K  cn wuxi unigroup
 tpa70r600m tpb70r600m tpd70r600m tpr70r600m tpu70r600m.pdf pdf_icon

TPR70R600M

TPA70R600M,TPB70R600M,TPD70R600M,TPR70R600M,TPU70R600M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 700V Super-junction Power MOSFET Description 700V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conductio

Другие IGBT... TPB70R450C, TPC70R450C, TPD70R450C, TPP70R450C, TPU70R450C, TPA70R600M, TPB70R600M, TPD70R600M, AO3400A, TPU70R600M, TPA73R190M, TPA73R300M, TPA73R400M, TPA80R180M, TPB80R180M, TPA80R250A, TPP80R250A