TPR70R600M - аналоги и даташиты транзистора

 

TPR70R600M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TPR70R600M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP-NL
 

 Аналог (замена) для TPR70R600M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPR70R600M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1095K  cn wuxi unigroup
 tpa70r600m tpb70r600m tpd70r600m tpr70r600m tpu70r600m.pdf pdf_icon

TPR70R600M

TPA70R600M,TPB70R600M,TPD70R600M,TPR70R600M,TPU70R600MWuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd700V Super-junction Power MOSFETDescription700V Super-junction Power MOSFETSuper-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETsdesigned according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conductio

Другие MOSFET... TPB70R450C , TPC70R450C , TPD70R450C , TPP70R450C , TPU70R450C , TPA70R600M , TPB70R600M , TPD70R600M , P60NF06 , TPU70R600M , TPA73R190M , TPA73R300M , TPA73R400M , TPA80R180M , TPB80R180M , TPA80R250A , TPP80R250A .

History: VBZE100N03 | IPB80N06S4-07 | STB11NK40Z | 24NM60L-T47-T | RU1HE3H | GP2M007A065XG | CHM2305GP

 

 
Back to Top

 


 
.