FDB5800 Todos los transistores

 

FDB5800 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB5800
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 242 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDB5800 Datasheet (PDF)

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FDB5800

September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

 ..2. Size:249K  fairchild semi
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FDB5800

September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WM05P02M | P2610ADG | UT3N10G-AA3-R | S10H12S | 2SK3774-01L | 2SK2052-R | SIHFP048R

 

 
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