FDB5800 - описание и поиск аналогов

 

FDB5800. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB5800

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB5800

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB5800 даташит

 ..1. Size:247K  fairchild semi
 fdb5800 f085.pdf pdf_icon

FDB5800

September 2005 FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m Features Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS Systems Rdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

 ..2. Size:249K  fairchild semi
 fdb5800.pdf pdf_icon

FDB5800

September 2005 FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7m Features Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS Systems Rdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

Другие MOSFET... FDB3682 , STU412S , FDB3860 , STU413S , FDB390N15A , FDB44N25 , FDB52N20 , STU417L , 4N60 , FDB8132F085 , STU326S , FDB8160F085 , STU312D , FDB8441 , FDB8441F085 , FDB8442 , FDB8442F085 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.