Справочник MOSFET. FDB5800

 

FDB5800 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB5800
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 104 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB5800 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  fairchild semi
 fdb5800 f085.pdf pdf_icon

FDB5800

September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

 ..2. Size:249K  fairchild semi
 fdb5800.pdf pdf_icon

FDB5800

September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: QM2401G

 

 
Back to Top

 


 
.