FDB5800 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDB5800 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDB5800
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
 

 Аналог (замена) для FDB5800

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB5800 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  fairchild semi
 fdb5800 f085.pdf pdf_icon

FDB5800

September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

 ..2. Size:249K  fairchild semi
 fdb5800.pdf pdf_icon

FDB5800

September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line

Другие MOSFET... FDB3682 , STU412S , FDB3860 , STU413S , FDB390N15A , FDB44N25 , FDB52N20 , STU417L , 10N65 , FDB8132F085 , STU326S , FDB8160F085 , STU312D , FDB8441 , FDB8441F085 , FDB8442 , FDB8442F085 .

History: IRFS4410PBF | G30N20F | STU326S | MCQ15N10B

 

 
Back to Top

 


 
.