FDB5800 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FDB5800
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO263 D2PAK
Аналог (замена) для FDB5800
FDB5800 Datasheet (PDF)
fdb5800 f085.pdf
September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line
fdb5800.pdf
September 2005FDB5800N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 7mFeatures Applications rDS(ON) = 5.5m (Typ.), VGS = 5V, ID = 80A Motor/ Body Load Control High performance trench technology for extermely low ABS SystemsRdson Power Train Management Low Gate Charge Injection Systems High power and current handling capability DC-DC Converters and Off-Line
Другие MOSFET... FDB3682 , STU412S , FDB3860 , STU413S , FDB390N15A , FDB44N25 , FDB52N20 , STU417L , 2SK3568 , FDB8132F085 , STU326S , FDB8160F085 , STU312D , FDB8441 , FDB8441F085 , FDB8442 , FDB8442F085 .
History: STP21N05LFI | STP21N06LFI
History: STP21N05LFI | STP21N06LFI
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM308MBP | AGM308MAR | AGM308MA | AGM308AP | AGM308A | AGM302A1 | AGM301C1 | AGM301A1 | AGM3015H | AGM3015D | AGM3015A | AGM3012AP-CP | AGM3005A | AGM2N7002K3 | AGM2N7002 | AGM30P20AP
Popular searches
transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26 | nte103a | g011n04