TPD80R750C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPD80R750C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de TPD80R750C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TPD80R750C datasheet

 ..1. Size:753K  cn wuxi unigroup
 tpa80r750c tpb80r750c tpc80r750c tpd80r750c tpp80r750c tpu80r750c.pdf pdf_icon

TPD80R750C

TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, TPD80R750C, TPP80R750C, TPU80R750C Wuxi Unigroup Microelectronics Company 800V Super-Junction Power MOSFET FEATURES Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package

 8.1. Size:771K  cn wuxi unigroup
 tpd80r900m tpu80r900m.pdf pdf_icon

TPD80R750C

TPD80R900M,TPU80R900M Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd 800V Super-junction Power MOSFET Description 800V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the SJ principle. The Multi-EPI SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses device with highest ro

Otros transistores... TPW80R250A, TPA80R300C, TPB80R300C, TPP80R300C, TPW80R300C, TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, AO4407A, TPP80R750C, TPU80R750C, TPB65R075DFD, TPP65R075DFD, TPW65R075DFD, TPB65R120M, TPP65R120M, TPR65R120M